ESD 选择-高速接口-转自电浪David
ESD/TVS的选择与其保护的应用接口息息相关,除了ESD/TVS的操作电压必须大于或等于保护线的操作电压之外,若是应用在高速的传输接口保护上,ESD/TVS的寄生电容值也必须加入考虑,否则可能会造成讯号传输波形的失真。但也有少数设计工程师因过度追求讯号完整度,而在讯号线要求过低电容值的ESD/TVS,造成可选择的防护器件的钳位电压过高,如此会严重影响防护效果。
本文将针对高速接口的传输速度说明ESD/TVS的选择方案,并且透过反射损耗来估计高速讯号的最大容许电容值,避免设计工程师挑选过小或过大电容值的防护方案。
寄生电容对于高速讯号的失真影响
如图1,讯号在线对地电容的大小会造成讯号的上升与下降时间变慢,进而造成讯号的波形失真,对地电容越大则会使上升与下降时间越慢。当讯号的失真程度大过IC可以辨别的阀值情况,则有误码的情况产生。因此在高寄生电容的情况下,要解决误码情况则需要增长Bit Time使得讯号有足够时间上升或下降至判断阀值区,进而造成讯号传输速度变慢。
上升状态: V(t)=V_0 (1-e^(-t/RC))
下降状态: V(t)=V_0 (e^(-t/RC))

图1 电容对于讯号的失真影响。
从时域的波形中较难量化电容值的大小将造成多严重的讯号失真,因此在高速讯号或射频线路的设计中,会透过FFT (Fast Fourier Transform) 将时域转换为频域来做表示,即S参数 (S-Parameter),如: S11 Return Loss (反射损失) 与S21 Insertion Loss (插入损失)。
高频讯号衰减与电容考虑
S11 Return Loss 描述当传输线两端阻抗不匹配时,电磁波在两接口间产生反射,而反射波与入射波功率的功率比值即Return Loss。ESD/TVS在电路上的应用需与终端阻抗并联到地,故会增加电容性负载,使得阻抗发生变化。
假设单端传输线阻抗为50 Ω的理想正弦波,普遍射频工程上以S11小于 -10dB来判别是否阻抗匹配,当S11小于 -10dB时,代表入射功率可以传送超过90%至负载端。接着计算不同操作频率下的等效电容值,我们就可以得到图2中的红色线,藉此来判断不同速度的高速接口,其ESD/TVS的寄生电容值选择上限。

图2 不同反射损耗条件下要求的电容负载容许度。
以USB4为例,其单一条Tx/Rx的最高传输速度可达20 Gbps,操作频率可等效为10 GHz的基频,因此从图2中可以观察到,一条高速线在S11= -10 dB的情况下,最大可容许约0.29 pF的寄生电容。
不同的传输接口,讯号衰减忍受程度都不同,各系统设计时可以留给 ESD/TVS 的余量也不同,最后我们可以从各传输接口的眼图条件 (讯号衰减程度) 来判别ESD/TVS容许的寄生电容大小。
为此,我们提供一系列硅验证的高速、低压、超低电容的ESD/TVS,为客户的芯片保驾护航!提升客户的芯片在高可靠性,高亢扰及差异性达到世界水平。
